物理学报2020，Vol.69Issue(7)：271-279,9.DOI:10.7498/aps.69.20191931
AlGaN/GaN高电子迁移率器件外部边缘电容的物理模型
The physics-based model of AlGaN/GaN high electron mobility transistor outer fringing capacitances
摘要
关键词
HEMT/外部边缘电容/沟道长度调制效应/模型引用本文复制引用
刘乃漳,张雪冰,姚若河..AlGaN/GaN高电子迁移率器件外部边缘电容的物理模型[J].物理学报,2020,69(7):271-279,9.基金项目
国家重点研究计划(批准号:2018YFB1802100)资助的课题. （批准号:2018YFB1802100）
