物理学报2020，Vol.69Issue(7)：288-297,10.DOI:10.7498/aps.69.20191557
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件电离辐照损伤机理及偏置相关性研究
Ionizing radiation damage mechanism and biases correlation of AlGaN/GaN high electron mobility transistor devices
董世剑 1钟向丽 1欧阳晓平 1郭红霞 2马武英 1吕玲 3潘霄宇 2雷志锋 2岳少忠 4郝蕊静 2琚安安3
作者信息
- 1. 湘潭大学材料科学与工程学院,湘潭 411105
- 2. 西北核技术研究所,西安 710024
- 3. 工业和信息化部电子第五研究所,电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室,广州 510610
- 4. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
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摘要
关键词
AlGaN/GaN/高电子迁移率晶体管/总剂量/1/f低频噪声引用本文复制引用
董世剑,钟向丽,欧阳晓平,郭红霞,马武英,吕玲,潘霄宇,雷志锋,岳少忠,郝蕊静,琚安安..AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件电离辐照损伤机理及偏置相关性研究[J].物理学报,2020,69(7):288-297,10.
