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基于模型数据库对半导体线宽关键尺寸的蒙特卡罗模拟

郭鹏 缪泓 邹艳波 丁泽军

现代应用物理2020，Vol.11Issue(1)：46-53,8.
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现代应用物理2020，Vol.11Issue(1)：46-53,8.DOI:10.12061/j.issn.2095-6223.2020.010207

基于模型数据库对半导体线宽关键尺寸的蒙特卡罗模拟

Monte Carlo Simulation of Critical Dimensions of Semiconductor Linewidth Based on Model-Based Library

郭鹏 1缪泓 1邹艳波 2丁泽军3

作者信息

  • 1. 中国科学技术大学近代力学系,合肥230026
  • 2. 新疆师范大学物理系,乌鲁木齐830054
  • 3. 中国科学技术大学物理系,合肥230026
  • 折叠

摘要

关键词

蒙特卡罗模拟/扫描电子显微镜/二次电子/关键尺寸/模型数据库

分类

数理科学

引用本文复制引用

郭鹏,缪泓,邹艳波,丁泽军..基于模型数据库对半导体线宽关键尺寸的蒙特卡罗模拟[J].现代应用物理,2020,11(1):46-53,8.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(11574289) （11574289）

现代应用物理

OACSTPCD

2095-6223

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