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初始空位浓度对硅晶圆中V-O2对演变影响的仿真

关小军 关宇昕 王善文

徐州工程学院学报(自然科学版)2020,Vol.35Issue(1):6-11,6.
徐州工程学院学报(自然科学版)2020,Vol.35Issue(1):6-11,6.

初始空位浓度对硅晶圆中V-O2对演变影响的仿真

Simulation of Effect of Initial Vacancy Concentration on the V-O2 Pair's Evolution in Silicon Monocrystalline Wafer

关小军 1关宇昕 2王善文1

作者信息

  • 1. 山东大学 材料科学与工程学院,山东 济南 250061
  • 2. 奥派咨询有限责任公司,高科技园区,埃因霍温 荷兰 5656AE
  • 折叠

摘要

关键词

仿真/硅晶圆/V-O2对/初始空位浓度

分类

矿业与冶金

引用本文复制引用

关小军,关宇昕,王善文..初始空位浓度对硅晶圆中V-O2对演变影响的仿真[J].徐州工程学院学报(自然科学版),2020,35(1):6-11,6.

基金项目

高等学校博士学科点专项科研基金项目(200804220021) (200804220021)

山东大学晶体材料国家重点实验室开放课题(KF1303) (KF1303)

徐州工程学院学报(自然科学版)

1674-358X

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