电子器件2020，Vol.43Issue(1)：234-238,5.DOI:10.3969/j.issn.1005-9490.2020.01.048
高k介质SOI LDMOS RTS噪声测试新方法
New Measurement Method of RTS Noise in SOI LDMOS with High-k Gate Dielectric
摘要
关键词
RTS噪声/SOILDMOS/噪声模型/氧化层陷阱/自动温控分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
侯爱霞..高k介质SOI LDMOS RTS噪声测试新方法[J].电子器件,2020,43(1):234-238,5.基金项目
国家自然科学基金项目( 51275541) （ 51275541）
