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纳米体硅鳍形场效应晶体管单粒子瞬态中的源漏导通现象

卢超 陈伟 罗尹虹 丁李利 王勋 赵雯 郭晓强 李赛

物理学报2020，Vol.69Issue(8)：285-293,9.
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物理学报2020，Vol.69Issue(8)：285-293,9.DOI:10.7498/aps.69.20191896

纳米体硅鳍形场效应晶体管单粒子瞬态中的源漏导通现象

Effect of source-drain conduction in single-event transient on nanoscaled bulk fin field effect transistor

卢超 1陈伟 2罗尹虹 2丁李利 2王勋 2赵雯 2郭晓强 2李赛2

作者信息

  • 1. 清华大学工程物理系, 粒子技术与辐射成像(教育部重点实验室), 北京 100084
  • 2. 西北核技术研究院, 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室, 西安 710024
  • 折叠

摘要

关键词

单粒子瞬态/源漏导通/平台区电流

引用本文复制引用

卢超,陈伟,罗尹虹,丁李利,王勋,赵雯,郭晓强,李赛..纳米体硅鳍形场效应晶体管单粒子瞬态中的源漏导通现象[J].物理学报,2020,69(8):285-293,9.

基金项目

国家自然科学基金重大项目(批准号:11690043)资助的课题. （批准号:11690043）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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