表面技术2020，Vol.49Issue(4)：64-73,10.DOI:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2020.04.008
单晶SiC化学机械抛光基础研究——电芬顿反应条件优化及6H-SiC氧化效果分析
Basic Research on Chemical Mechanical Polishing of Single Crystal SiC—Optimization of Electro-Fenton Reaction Conditions and Analysis of 6H-SiC Oxidation Effect
摘要
关键词
电芬顿/6H-SiC/化学机械抛光/正交试验/羟基自由基/氧化反应分类
矿业与冶金引用本文复制引用
邓家云,潘继生,阎秋生..单晶SiC化学机械抛光基础研究——电芬顿反应条件优化及6H-SiC氧化效果分析[J].表面技术,2020,49(4):64-73,10.基金项目
NSFC-广东联合基金(U1801259) （U1801259）
广州市科技计划项目资助(201904010300) （201904010300）
广东省自然科学基金(No.2019A1515011243) （No.2019A1515011243）
