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量子垒生长速率对InGaN基绿光LED性能的影响

廖芳 莫春兰 王小兰 郑畅达 全知觉 张建立 江风益

发光学报2020,Vol.41Issue(4):429-434,6.
发光学报2020,Vol.41Issue(4):429-434,6.DOI:10.3788/fgxb20204104.0429

量子垒生长速率对InGaN基绿光LED性能的影响

Growth Rate of Quantum Barrier on Performance of InGaN-based Green LEDs

廖芳 1莫春兰 1王小兰 1郑畅达 1全知觉 1张建立 1江风益1

作者信息

  • 1. 南昌大学 国家硅基LED工程技术研究中心,江西 南昌 330096
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摘要

关键词

绿光LED/量子垒/生长速率/外量子效率

分类

数理科学

引用本文复制引用

廖芳,莫春兰,王小兰,郑畅达,全知觉,张建立,江风益..量子垒生长速率对InGaN基绿光LED性能的影响[J].发光学报,2020,41(4):429-434,6.

基金项目

江西省重大科技研发专项(20165ABC28007,20171BBE50052,20182ABC28003) (20165ABC28007,20171BBE50052,20182ABC28003)

国家自然科学基金(61704069,51602141, 11674147) (61704069,51602141, 11674147)

中央引导地方科技发展专项资金(20192ZDD02004)资助项目 (20192ZDD02004)

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

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