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28nm工艺基于T_Coil结构的带ESD防护器件的高速IO设计

张博翰 陈建军 梁斌 罗园 黄俊 朱小娜

计算机与数字工程2019,Vol.47Issue(11):2661-2666,2807,7.
计算机与数字工程2019,Vol.47Issue(11):2661-2666,2807,7.DOI:10.3969/j.issn.1672-9722.2019.11.003

28nm工艺基于T_Coil结构的带ESD防护器件的高速IO设计

High-speed IO Design Based on T_Coil Structure with ESD Protection Device Under 28nm Process

张博翰 1陈建军 1梁斌 1罗园 1黄俊 1朱小娜1

作者信息

  • 1. 国防科技大学计算机学院 长沙 410000
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摘要

关键词

28nm工艺/高速IO设计/ESD/T_Coil结构

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

张博翰,陈建军,梁斌,罗园,黄俊,朱小娜..28nm工艺基于T_Coil结构的带ESD防护器件的高速IO设计[J].计算机与数字工程,2019,47(11):2661-2666,2807,7.

基金项目

国家自然科学基金面上项目(编号:61434007) (编号:61434007)

国家自然科学基金青年基金项目(编号:61804180)资助. (编号:61804180)

计算机与数字工程

OACSTPCD

1672-9722

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