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28nm工艺低压差线性稳压器(LDO)设计

宋圣宇 陈建军 文溢 邢海源 李梦姿 郭阳

计算机与数字工程2019,Vol.47Issue(11):2738-2745,8.
计算机与数字工程2019,Vol.47Issue(11):2738-2745,8.DOI:10.3969/j.issn.1672-9722.2019.11.019

28nm工艺低压差线性稳压器(LDO)设计

28nm Process Low Dropout Linear Regulator (LDO) Design

宋圣宇 1陈建军 1文溢 1邢海源 1李梦姿 1郭阳1

作者信息

  • 1. 国防科技大学计算机学院 长沙 410000
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摘要

关键词

低压差线性稳压器/带隙基准电路/28nm工艺/温度系数/低功耗低噪声

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

宋圣宇,陈建军,文溢,邢海源,李梦姿,郭阳..28nm工艺低压差线性稳压器(LDO)设计[J].计算机与数字工程,2019,47(11):2738-2745,8.

基金项目

国家自然科学基金面上项目(编号:61974163) (编号:61974163)

国家自然科学基金青年基金项目(编号:61804180)资助. (编号:61804180)

计算机与数字工程

OACSTPCD

1672-9722

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