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基于AFORS-HET的单层MoS2(n)/a-Si(i)/c-Si(p)/μc-Si(p+)异质结太阳能电池模拟

罗伟 姜鑫 梁世豪 杜锐

人工晶体学报2020,Vol.49Issue(3):422-427,6.
人工晶体学报2020,Vol.49Issue(3):422-427,6.

基于AFORS-HET的单层MoS2(n)/a-Si(i)/c-Si(p)/μc-Si(p+)异质结太阳能电池模拟

Simulation of Single Layer MoS2 (n)/a-Si (i)/c-Si (p) / μc-Si (p +) Heterojunction Solar Cells Based on AFORS-HET Software

罗伟 1姜鑫 2梁世豪 1杜锐1

作者信息

  • 1. 东北石油大学电子科学学院,大庆163318
  • 2. 黑龙江省高校校企共建测试计量技术及仪器仪表工程研发中心,大庆163318
  • 折叠

摘要

关键词

AFORS-HET/异质结太阳能电池/背场层/缺陷密度

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

罗伟,姜鑫,梁世豪,杜锐..基于AFORS-HET的单层MoS2(n)/a-Si(i)/c-Si(p)/μc-Si(p+)异质结太阳能电池模拟[J].人工晶体学报,2020,49(3):422-427,6.

基金项目

黑龙江省高等教育教学改革一般研究项目(SJGY20190100) (SJGY20190100)

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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