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气相捕获腔对石墨烯低压化学气相沉积形核生长的影响

史永贵 桑昭君 王允威 赵高扬

人工晶体学报2020,Vol.49Issue(3):439-445,7.
人工晶体学报2020,Vol.49Issue(3):439-445,7.

气相捕获腔对石墨烯低压化学气相沉积形核生长的影响

Effect of the Vapor Trapping Chamber on the Nucleation and Growth of Graphene by Low Pressure Chemical Vapor Deposition

史永贵 1桑昭君 1王允威 1赵高扬2

作者信息

  • 1. 西安理工大学材料科学与工程学院,西安710048
  • 2. 攀枝花学院生物与化学工程学院,攀枝花617000
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摘要

关键词

石墨烯/低压化学气相沉积/气相捕获腔/铜箔/形核/生长

分类

通用工业技术

引用本文复制引用

史永贵,桑昭君,王允威,赵高扬..气相捕获腔对石墨烯低压化学气相沉积形核生长的影响[J].人工晶体学报,2020,49(3):439-445,7.

基金项目

陕西省教育厅自然科学专项(17JK0571) (17JK0571)

陕西省自然科学基础研究专项(2017JQ5107) (2017JQ5107)

攀枝花市科技计划项目(2017CY-G-18) (2017CY-G-18)

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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