物理学报2020，Vol.69Issue(9)：270-279,10.DOI:10.7498/aps.69.20200123
HfO2基铁电场效应晶体管读写电路的单粒子翻转效应模拟
Single-event-upset effect simulation of HfO2-based ferroelectric field effect transistor read and write circuits
摘要
关键词
铁电场效应晶体管/单粒子瞬态/单粒子翻转引用本文复制引用
黎华梅,侯鹏飞,王金斌,宋宏甲,钟向丽..HfO2基铁电场效应晶体管读写电路的单粒子翻转效应模拟[J].物理学报,2020,69(9):270-279,10.基金项目
国家自然科学基金(批准号:11875229)和电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室开放基金(批准号:ZHD201803)资助的课题. （批准号:11875229）
