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GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池不同能量质子辐照损伤模拟

李俊炜 王祖军 石成英 薛院院 宁浩 徐瑞 焦仟丽 贾同轩

物理学报2020,Vol.69Issue(9):289-299,11.
物理学报2020,Vol.69Issue(9):289-299,11.DOI:10.7498/aps.69.20191878

GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池不同能量质子辐照损伤模拟

Modeling and simulating of radiation effects on the performance degradation of GaInP/GaAs/Ge triple-junction solar cells induced by different energy protons

李俊炜 1王祖军 2石成英 1薛院院 2宁浩 3徐瑞 3焦仟丽 3贾同轩3

作者信息

  • 1. 西安高科技研究所, 西安 710025
  • 2. 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室, 西北核技术研究院, 西安 710024
  • 3. 湘潭大学材料科学与工程学院, 湘潭 411105
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摘要

关键词

三结太阳电池/辐照缺陷/质子辐照模型/数值模拟

引用本文复制引用

李俊炜,王祖军,石成英,薛院院,宁浩,徐瑞,焦仟丽,贾同轩..GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池不同能量质子辐照损伤模拟[J].物理学报,2020,69(9):289-299,11.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:11875223, 11805155)、中国科学院战略性先导科技专项(批准号:XDA15015000)、强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室(批准号:SKLIPR1803, 1903Z)和抗辐照应用技术创新基金(批准号:KFZC2018040201)资助的课题. (批准号:11875223, 11805155)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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