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GaAsN/GaAs量子阱在1 MeV电子束辐照下的退化规律

雷琪琪 陈加伟 郭旗 艾尔肯·阿不都瓦衣提 玛丽娅·黑尼 李豫东 王保顺 王涛 莫镜辉 庄玉

发光学报2020,Vol.41Issue(5):603-609,7.
发光学报2020,Vol.41Issue(5):603-609,7.DOI:10.3788/fgxb20204105.0603

GaAsN/GaAs量子阱在1 MeV电子束辐照下的退化规律

Degradation of GaAsN/GaAs Quantum Well Under 1 MeV Electron Beam Irradiation

雷琪琪 1陈加伟 2郭旗 1艾尔肯·阿不都瓦衣提 2玛丽娅·黑尼 1李豫东 1王保顺 3王涛 1莫镜辉 1庄玉1

作者信息

  • 1. 中国科学院 新疆理化技术研究所,中国科学院 特殊环境功能材料与器件重点实验室,新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆 乌鲁木齐 830011
  • 2. 中国科学院大学,北京 100049
  • 3. 云南师范大学 能源与环境科学学院,云南 昆明 650500
  • 折叠

摘要

关键词

稀氮/光致发光/电子辐照/GaAsN/退火

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

雷琪琪,陈加伟,郭旗,艾尔肯·阿不都瓦衣提,玛丽娅·黑尼,李豫东,王保顺,王涛,莫镜辉,庄玉..GaAsN/GaAs量子阱在1 MeV电子束辐照下的退化规律[J].发光学报,2020,41(5):603-609,7.

基金项目

国家自然科学基金(61534008) (61534008)

中国科学院新疆理化技术研究所所长基金(Y55B171101) (Y55B171101)

中科院西部之光(2017-XBQNXZ-B-004) (2017-XBQNXZ-B-004)

电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室开放基金(ZHD201705)资助 (ZHD201705)

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

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