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高品质6英寸N型4 H-SiC单晶生长研究

刘兵 蒲红斌 赵然 赵子强 鲍慧强 李龙远 李晋 刘素娟

人工晶体学报2020，Vol.49Issue(4)：570-575,6.
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人工晶体学报2020，Vol.49Issue(4)：570-575,6.

高品质6英寸N型4 H-SiC单晶生长研究

Study on the Growth of High Quality 6-Inch N-type 4H-SiC Single Crystal

刘兵 1蒲红斌 2赵然 3赵子强 1鲍慧强 3李龙远 2李晋 2刘素娟2

作者信息

  • 1. 西安理工大学自动化与信息工程学院,西安 710048
  • 2. 中科钢研节能科技有限公司,北京 100081
  • 3. 西安市电力电子器件与高效电能变换重点实验室, 西安 710048
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摘要

关键词

PVT法/6英寸N型4H-SiC/数值模拟/温场分布/晶体品质

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

刘兵,蒲红斌,赵然,赵子强,鲍慧强,李龙远,李晋,刘素娟..高品质6英寸N型4 H-SiC单晶生长研究[J].人工晶体学报,2020,49(4):570-575,6.

基金项目

陕西省重点研发计划项目(2018ZDXM-GY-003) （2018ZDXM-GY-003）

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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