天津工业大学学报2020，Vol.39Issue(2)：61-68,8.DOI:10.3969/j.issn.1671-024x.2020.02.010
基于GaN HEMT的双向DC-DC变换器系统损耗分析
Loss analysis of double active bridge system based on GaN HEMT
摘要
关键词
全桥双向DC-DC变换器/氮化镓高电子迁移率晶体管(GaNHEMT)/寄生参数/单移相控制/损耗分析分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
高圣伟,祁树岭,孙醒涛,贺琛,董晨名..基于GaN HEMT的双向DC-DC变换器系统损耗分析[J].天津工业大学学报,2020,39(2):61-68,8.基金项目
天津市优秀科技特派员计划资助项目(16JCTPJC46600) （16JCTPJC46600）
天津市研究生科研创新项目(2019YJSS026) （2019YJSS026）
