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利用离子激发发光研究ZnO离子注入和退火处理的缺陷变化

罗长维 仇猛淋 王广甫 王庭顺 赵国强 华青松

物理学报2020，Vol.69Issue(10)：26-31,6.
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物理学报2020，Vol.69Issue(10)：26-31,6.DOI:10.7498/aps.69.20200029

利用离子激发发光研究ZnO离子注入和退火处理的缺陷变化

Ions beam induced luminescence study of variation of defects in zinc oxide during ion implant and after annealing

罗长维 1仇猛淋 1王广甫 1王庭顺 2赵国强 1华青松1

作者信息

  • 1. 北京师范大学核科学与技术学院,射线束教育部重点实验室,北京 100875
  • 2. 北京市辐射中心,北京 100875
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摘要

关键词

离子激发发光/退火/ZnO

引用本文复制引用

罗长维,仇猛淋,王广甫,王庭顺,赵国强,华青松..利用离子激发发光研究ZnO离子注入和退火处理的缺陷变化[J].物理学报,2020,69(10):26-31,6.

基金项目

国家自然科学基金青年科学基金(批准号:11905010)、中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:2018NTST04)和中国博士后科学基金(批准号:2019M650526)资助的课题. （批准号:11905010）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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