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真空沟道结构GaAs光电阴极电子发射特性

郝广辉韩攀阳李兴辉李泽鹏高玉娟

物理学报2020，Vol.69Issue(10)：266-272,7.

物理学报2020，Vol.69Issue(10)：266-272,7.DOI:10.7498/aps.69.20191893

The electron emission characteristics of GaAs photocathode with vacuum-channel structure

郝广辉 ¹韩攀阳 ¹李兴辉 ¹李泽鹏 ¹高玉娟¹

作者信息

光电阴极/电流密度/真空沟道/寿命

郝广辉,韩攀阳,李兴辉,李泽鹏,高玉娟..真空沟道结构GaAs光电阴极电子发射特性[J].物理学报,2020,69(10):266-272,7.

国家自然科学基金(批准号:61601420,61971386)资助的课题. （批准号:61601420,61971386）

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

ISSN：1000-3290

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