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GaN基量子阱结构的界面光学声子及其电声相互作用性质的研究

黄文登 王瑞

高师理科学刊2020,Vol.40Issue(5):36-41,6.
高师理科学刊2020,Vol.40Issue(5):36-41,6.DOI:10.3969/j.issn.1007-9831.2020.05.009

GaN基量子阱结构的界面光学声子及其电声相互作用性质的研究

The properties of optical phonon and electron-phonon interaction in GaN-based quantum well structures

黄文登 1王瑞1

作者信息

  • 1. 陕西理工大学物理与电信工程学院,陕西汉中 723000
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摘要

关键词

光学声子/电声相互作用/量子结构

分类

数理科学

引用本文复制引用

黄文登,王瑞..GaN基量子阱结构的界面光学声子及其电声相互作用性质的研究[J].高师理科学刊,2020,40(5):36-41,6.

基金项目

陕西省自然科学基金项目(2019JM-213) (2019JM-213)

陕西省教育厅项目(18JK0154) (18JK0154)

高师理科学刊

1007-9831

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