现代信息科技2020,Vol.4Issue(6):27-30,4.DOI:10.19850/j.cnki.2096-4706.2020.06.010
VDMOS器件参数及IDSS失效问题研究
Study on VDMOS Device Parameters and IDSS Failure
李明 1姚雪霞 1曹婷 1刘国梁1
作者信息
- 1. 深圳方正微电子有限公司,广东深圳 518116
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摘要
关键词
VDMOS/IDSS/DS漏电/DS短路分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
李明,姚雪霞,曹婷,刘国梁..VDMOS器件参数及IDSS失效问题研究[J].现代信息科技,2020,4(6):27-30,4.