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VDMOS器件参数及IDSS失效问题研究

李明 姚雪霞 曹婷 刘国梁

现代信息科技2020,Vol.4Issue(6):27-30,4.
现代信息科技2020,Vol.4Issue(6):27-30,4.DOI:10.19850/j.cnki.2096-4706.2020.06.010

VDMOS器件参数及IDSS失效问题研究

Study on VDMOS Device Parameters and IDSS Failure

李明 1姚雪霞 1曹婷 1刘国梁1

作者信息

  • 1. 深圳方正微电子有限公司,广东深圳 518116
  • 折叠

摘要

关键词

VDMOS/IDSS/DS漏电/DS短路

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

李明,姚雪霞,曹婷,刘国梁..VDMOS器件参数及IDSS失效问题研究[J].现代信息科技,2020,4(6):27-30,4.

现代信息科技

2096-4706

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