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SiC MOSFET开关损耗测试方法研究

郑丹 张少昆 李磊 曹瀚 范涛 宁圃奇 张瑾 温旭辉

中国电机工程学报2020，Vol.40Issue(9)：2975-2982,8.
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中国电机工程学报2020，Vol.40Issue(9)：2975-2982,8.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.190716

SiC MOSFET开关损耗测试方法研究

Research on Switching Losses Testing Method for SiC MOSFET

郑丹 1张少昆 1李磊 1曹瀚 2范涛 1宁圃奇 2张瑾 1温旭辉3

作者信息

  • 1. 中国科学院电力电子与电气驱动重点实验室(中国科学院电工研究所),北京市海淀区100190
  • 2. 中国科学院大学,北京市石景山区102209
  • 3. 北京市电动汽车协同创新中心,北京市海淀区100081
  • 折叠

摘要

关键词

碳化硅MOSFET/开关损耗/延时补偿/振荡

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

郑丹,张少昆,李磊,曹瀚,范涛,宁圃奇,张瑾,温旭辉..SiC MOSFET开关损耗测试方法研究[J].中国电机工程学报,2020,40(9):2975-2982,8.

基金项目

国家重点研发计划项目(2018YFB0104700). （2018YFB0104700）

中国电机工程学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0258-8013

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