中国电机工程学报2020，Vol.40Issue(9)：2983-2995,13.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.190263
探头影响SiC MOSFET暂态稳定的阻抗建模
Impedance-based Transient Stability Modeling of SiC MOSFET Influenced by Probes
摘要
关键词
碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管/暂态不稳定/测量探头/阻抗建模分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
曾正,余跃,欧开鸿,王金..探头影响SiC MOSFET暂态稳定的阻抗建模[J].中国电机工程学报,2020,40(9):2983-2995,13.基金项目
国家重点研发计划(2017YFB0102303) （2017YFB0102303）
中央高校基本科研业务费资助(2019CDXYDQ0010). （2019CDXYDQ0010）
