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中红外激光晶体Dy:PbGa2S4的生长与器件制备

方攀 袁泽锐 陈莹 尹文龙 康彬

人工晶体学报2020,Vol.49Issue(5):771-773,3.
人工晶体学报2020,Vol.49Issue(5):771-773,3.

中红外激光晶体Dy:PbGa2S4的生长与器件制备

Growth and Device Fabrication of Mid-infrared Laser Crystal Dy:PbGa2S4

方攀 1袁泽锐 2陈莹 1尹文龙 2康彬1

作者信息

  • 1. 中国工程物理研究院化工材料研究所,绵阳 621999
  • 2. 四川省新材料研究中心,成都 610200
  • 折叠

摘要

关键词

中红外激光晶体/Dy:PbGa2S4单晶/竖直梯度冷凝法/晶体生长

分类

数理科学

引用本文复制引用

方攀,袁泽锐,陈莹,尹文龙,康彬..中红外激光晶体Dy:PbGa2S4的生长与器件制备[J].人工晶体学报,2020,49(5):771-773,3.

基金项目

中国工程物理研究院化工材料研究所攻关项目 ()

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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