| 注册
首页|期刊导航|太赫兹科学与电子信息学报|一种用于MEMS超低值封装残余应力的测量方法

一种用于MEMS超低值封装残余应力的测量方法

刘猛 黄清华 许蔚 唐彬

太赫兹科学与电子信息学报2020,Vol.18Issue(3):531-537,7.
太赫兹科学与电子信息学报2020,Vol.18Issue(3):531-537,7.DOI:10.11805/TKYDA2019033

一种用于MEMS超低值封装残余应力的测量方法

A novel measurement method of ultra-low residual stress in MEMS package

刘猛 1黄清华 1许蔚 1唐彬1

作者信息

  • 1. 中国工程物理研究院 电子工程研究所,四川 绵阳 621999
  • 折叠

摘要

关键词

微机电系统(MEMS)/封装残余应力/应力测量/显微拉曼光谱/在片应力放大结构

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

刘猛,黄清华,许蔚,唐彬..一种用于MEMS超低值封装残余应力的测量方法[J].太赫兹科学与电子信息学报,2020,18(3):531-537,7.

基金项目

中国工程物理研究院"可靠性提升项目"资助项目(TA060606) (TA060606)

太赫兹科学与电子信息学报

OACSTPCD

2095-4980

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文