国防科技大学学报2020，Vol.42Issue(3)：17-21,5.DOI:10.11887/j.cn.202003003
130 nm加固SOI工艺的抗辐射控制芯片设计
Design of radiation-tolerant controller chip in 130 nm hardened SOI process
摘要
关键词
集成电路/抗辐射/绝缘体上硅/控制芯片分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
常永伟,余超,刘海静,王正,董业民..130 nm加固SOI工艺的抗辐射控制芯片设计[J].国防科技大学学报,2020,42(3):17-21,5.基金项目
中科院重点部署资助项目(KGFZD-135-16-015) （KGFZD-135-16-015）
