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离子注入型硅掺砷阻挡杂质带长波红外探测器的研究

王超 李宁 戴宁 石旺舟 胡古今

红外与毫米波学报2020，Vol.39Issue(3)：290-294,5.
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红外与毫米波学报2020，Vol.39Issue(3)：290-294,5.DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2020.03.004

离子注入型硅掺砷阻挡杂质带长波红外探测器的研究

Ion-implanted Si:As blocked impurity band detectors for VLWIR detection

王超 1李宁 2戴宁 1石旺舟 1胡古今3

作者信息

  • 1. 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083
  • 2. 中国科学院大学,北京 100049
  • 3. 上海师范大学数理学院物理系,上海 200234
  • 折叠

摘要

关键词

阻挡杂质带/长波红外探测器/硅掺砷/离子注入工艺

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王超,李宁,戴宁,石旺舟,胡古今..离子注入型硅掺砷阻挡杂质带长波红外探测器的研究[J].红外与毫米波学报,2020,39(3):290-294,5.

基金项目

国家自然科学基金(11933006,61805060,61290304,10904158,10990103)和国家重点基础研究发展计划项目(2013CB632802, 2011CB922004) （11933006,61805060,61290304,10904158,10990103）

红外与毫米波学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1001-9014

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