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45°高反膜中节瘤缺陷的电场增强效应及损伤特性

潘顺民 卫耀伟 安晨辉 罗振飞 王健

强激光与粒子束2020,Vol.32Issue(7):30-36,7.
强激光与粒子束2020,Vol.32Issue(7):30-36,7.DOI:10.11884/HPLPB202032.200028

45°高反膜中节瘤缺陷的电场增强效应及损伤特性

Electric field enhancement effect and damage characteristics of nodular defect in 45° high-reflection coating

潘顺民 1卫耀伟 1安晨辉 1罗振飞 1王健1

作者信息

  • 1. 中国工程物理研究院激光聚变研究中心,四川绵阳 621900
  • 折叠

摘要

关键词

激光薄膜/节瘤缺陷/时域有限差分/损伤阈值/电场增强

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

潘顺民,卫耀伟,安晨辉,罗振飞,王健..45°高反膜中节瘤缺陷的电场增强效应及损伤特性[J].强激光与粒子束,2020,32(7):30-36,7.

基金项目

国家自然科学基金项目( 11974320) ( 11974320)

强激光与粒子束

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-4322

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