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基于机械剥离 β-Ga2O3的Ni/Au垂直结构肖特基器件的温度特性

龙泽夏晓川石建军刘俊耿昕蕾张赫之梁红伟

物理学报2020，Vol.69Issue(13)：290-299,10.

物理学报2020，Vol.69Issue(13)：290-299,10.DOI:10.7498/aps.69.20200424

Temperature dependent characteristics of Ni/Au vertical Schottky diode based on mechanically exfoliated beta-Ga2O3 single crystal

龙泽 ¹夏晓川 ¹石建军 ¹刘俊 ¹耿昕蕾 ¹张赫之 ¹梁红伟¹

作者信息

氧化镓/机械剥离/肖特基二极管/温度特性

龙泽,夏晓川,石建军,刘俊,耿昕蕾,张赫之,梁红伟..基于机械剥离 β-Ga2O3的Ni/Au垂直结构肖特基器件的温度特性[J].物理学报,2020,69(13):290-299,10.

大连市科技创新基金 (批准号: 2018J12GX060) 和国家重点研发计划 (批准号: 2016YFB0400600, 2016YFB0400601) 资助的课题. （批准号: 2018J12GX060）

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

ISSN：1000-3290

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