现代应用物理2020，Vol.11Issue(2)：40-44,5.DOI:10.12061/j.issn.2095-6223.2020.020802
应力对3-1-3GeP3纳米器件电输运性质的调控
Strain Modulation of Electron Transport Properties of 3-1-3 GeP3 Nano-Device
摘要
关键词
应力调控/2维材料/GeP3/第一性原理方法/态密度/透射因数/电流-电压曲线分类
数理科学引用本文复制引用
万浪辉,蔡怀方,卫亚东..应力对3-1-3GeP3纳米器件电输运性质的调控[J].现代应用物理,2020,11(2):40-44,5.基金项目
国家自然科学基金资助项目(11564217) （11564217）
