电源学报2020，Vol.18Issue(4)：10-14,5.DOI:10.13234/j.issn.2095-2805.2020.4.10
3300 V SiC MOSFET栅氧可靠性研究
Investigation on the Reliability of Gate Oxide in 3300 V SiC MOSFET
摘要
关键词
3300 V SiC MOSFET/高温栅偏/栅氧/可靠性分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
陈宏,白云,陈喜明,李诚瞻..3300 V SiC MOSFET栅氧可靠性研究[J].电源学报,2020,18(4):10-14,5.基金项目
国家重点研发计划资助项目(2017YFB1200902) （2017YFB1200902）
