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InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的温度电压特性

李金友 王海龙 杨锦 曹春芳 赵旭熠 于文富 龚谦

发光学报2020，Vol.41Issue(8)：971-976,6.
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发光学报2020，Vol.41Issue(8)：971-976,6.DOI:10.37188/fgxb20204108.0971

InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的温度电压特性

Voltage-temperature Characteristics of InGaAs/GaAs/InGaP Quantum Well Laser

李金友 1王海龙 1杨锦 1曹春芳 2赵旭熠 3于文富 2龚谦3

作者信息

  • 1. 曲阜师范大学物理工程学院 山东省激光偏光与信息技术重点实验室,山东 曲阜 273165
  • 2. 中国科学院大学信息功能材料国家重点实验室,上海 200050
  • 3. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海 200050
  • 折叠

摘要

关键词

量子阱激光器/InGaAs/GaAs/InGaP/低温/温度电压特性

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

李金友,王海龙,杨锦,曹春芳,赵旭熠,于文富,龚谦..InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的温度电压特性[J].发光学报,2020,41(8):971-976,6.

基金项目

国家自然科学基金(61674096) （61674096）

山东省自然科学基金(ZR2019PA010)资助项目 （ZR2019PA010）

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

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