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抗坏血酸后处理化学气相法制备的聚3,4-乙撑二氧噻吩薄膜及其热电性能

王娇 刘少辉 周梦 郝好山

物理学报2020,Vol.69Issue(14):196-204,9.
物理学报2020,Vol.69Issue(14):196-204,9.DOI:10.7498/aps.69.20200431

抗坏血酸后处理化学气相法制备的聚3,4-乙撑二氧噻吩薄膜及其热电性能

Effects of ascorbic acid post-treatment on thermoelectric properties of poly (3, 4-ethylenedioxythiophene) thin films by a vapor phase polymerization

王娇 1刘少辉 2周梦 1郝好山1

作者信息

  • 1. 河南工程学院理学院, 郑州 451191
  • 2. 同济大学材料科学与工程学院, 上海 201804
  • 折叠

摘要

关键词

聚3,4-乙撑二氧噻吩/薄膜/后处理/热电性能

引用本文复制引用

王娇,刘少辉,周梦,郝好山..抗坏血酸后处理化学气相法制备的聚3,4-乙撑二氧噻吩薄膜及其热电性能[J].物理学报,2020,69(14):196-204,9.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:11847122,51902088)、河南省科技攻关计划(批准号:192102210027,202102210002)和河南省大学生创新创业训练计划(批准号:S201911517008)资助的课题. (批准号:11847122,51902088)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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