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n型纳米薄膜表面GaN/AlGaN光电阴极的电子发射特性

郝广辉 李泽鹏

真空电子技术Issue(3):46-50,59,6.
真空电子技术Issue(3):46-50,59,6.DOI:10.16540/j.cnki.cn11-2485/tn.2020.03.08

n型纳米薄膜表面GaN/AlGaN光电阴极的电子发射特性

Electron Emission Performance of GaN/AlGaN Photocathode on n-Type Nanometer Film Surface

郝广辉 1李泽鹏1

作者信息

  • 1. 北京真空电子技术研究所,北京100015
  • 折叠

摘要

关键词

GaN/AlGaN光电阴极/n型纳米薄膜/光谱响应/电子源

分类

数理科学

引用本文复制引用

郝广辉,李泽鹏..n型纳米薄膜表面GaN/AlGaN光电阴极的电子发射特性[J].真空电子技术,2020,(3):46-50,59,6.

基金项目

国家自然科学基金项目(批准号:61601420,61971386) (批准号:61601420,61971386)

真空电子技术

1002-8935

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