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碳化工艺对碳化钍钨热电子阴极微观组织与残余应力的影响

葛春桥 王贤友

真空电子技术Issue(3):64-66,71,4.
真空电子技术Issue(3):64-66,71,4.DOI:10.16540/j.cnki.cn11-2485/tn.2020.03.12

碳化工艺对碳化钍钨热电子阴极微观组织与残余应力的影响

Influence of Carbonization Process on Microstructure and Residual Stress of Th-W Carbonized Cathodes

葛春桥 1王贤友1

作者信息

  • 1. 广东威特真空电子制造有限公司,广东佛山528311
  • 折叠

摘要

关键词

碳化工艺/热电子阴极/碳化钍钨/残余应力

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

葛春桥,王贤友..碳化工艺对碳化钍钨热电子阴极微观组织与残余应力的影响[J].真空电子技术,2020,(3):64-66,71,4.

基金项目

广东省省级科技计划项目(2013B090500083) (2013B090500083)

真空电子技术

1002-8935

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