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成果简介:高性能MEMS器件设计与制造关键技术及应用

黄庆安

电子学报2020,Vol.48Issue(2):封4,1.
电子学报2020,Vol.48Issue(2):封4,1.

成果简介:高性能MEMS器件设计与制造关键技术及应用

黄庆安1

作者信息

  • 1. 东南大学MEMS教育部重点实验室,南京210096
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摘要

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黄庆安..成果简介:高性能MEMS器件设计与制造关键技术及应用[J].电子学报,2020,48(2):封4,1.

电子学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0372-2112

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