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超宽禁带半导体材料——氮化铝单晶

王琦琨

人工晶体学报2020，Vol.49Issue(7)：后插1,1.
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人工晶体学报2020，Vol.49Issue(7)：后插1,1.

超宽禁带半导体材料——氮化铝单晶

王琦琨1

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  • 1. 奥趋光电技术(杭州)有限公司
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王琦琨..超宽禁带半导体材料——氮化铝单晶[J].人工晶体学报,2020,49(7):后插1,1.

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

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