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基于中国散裂中子源的商用静态随机存取存储器中子单粒子效应实验研究

王勋 张凤祁 陈伟 郭晓强 丁李利 罗尹虹

物理学报2020,Vol.69Issue(16):66-75,10.
物理学报2020,Vol.69Issue(16):66-75,10.DOI:10.7498/aps.69.20200265

基于中国散裂中子源的商用静态随机存取存储器中子单粒子效应实验研究

Experimental study on neutron single event effects of commercial SRAMs based on CSNS

王勋 1张凤祁 1陈伟 1郭晓强 1丁李利 1罗尹虹1

作者信息

  • 1. 西北核技术研究院, 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室, 西安 710024
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摘要

关键词

中国散裂中子源/中子单粒子效应/单粒子翻转/多单元翻转

引用本文复制引用

王勋,张凤祁,陈伟,郭晓强,丁李利,罗尹虹..基于中国散裂中子源的商用静态随机存取存储器中子单粒子效应实验研究[J].物理学报,2020,69(16):66-75,10.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:11690043,11605138,61634008)和强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室(批准号:SKLIPR1902Z)资助的课题. (批准号:11690043,11605138,61634008)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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