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四方结构GaN纳米线制备、掺杂调控及其场发射性能研究

杨孟骐 姬宇航 梁琦 王长昊 张跃飞 张铭 王波 王如志

物理学报2020，Vol.69Issue(16)：262-270,9.
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物理学报2020，Vol.69Issue(16)：262-270,9.DOI:10.7498/aps.69.20200445

四方结构GaN纳米线制备、掺杂调控及其场发射性能研究

Preparation, doping modulation and field emission properties of square-shaped GaN nanowires

杨孟骐 1姬宇航 2梁琦 1王长昊 1张跃飞 3张铭 1王波 1王如志1

作者信息

  • 1. 北京工业大学材料科学与工程学院,新型功能材料教育部重点实验室,北京 100124
  • 2. 北京航空航天大学物理学院,北京 100191
  • 3. 北京工业大学固体微结构与性能研究,固体微结构与性能北京市重点实验室,北京 100124
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摘要

关键词

氮化镓(GaN)/四方结构纳米线/Mg掺杂/场发射

引用本文复制引用

杨孟骐,姬宇航,梁琦,王长昊,张跃飞,张铭,王波,王如志..四方结构GaN纳米线制备、掺杂调控及其场发射性能研究[J].物理学报,2020,69(16):262-270,9.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:11774017,51761135129)资助的课题. （批准号:11774017,51761135129）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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