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无催化剂条件下长达毫米级的超宽Ga2O3单晶纳米带制备及特性

祁祺 陈海峰 洪梓凡 刘英英 过立新 李立珺 陆芹 贾一凡

物理学报2020,Vol.69Issue(16):271-277,7.
物理学报2020,Vol.69Issue(16):271-277,7.DOI:10.7498/aps.69.20200481

无催化剂条件下长达毫米级的超宽Ga2O3单晶纳米带制备及特性

Preparation and characteristics of ultra-wide Ga2O3 nanoribbons up to millimeter-long level without catalyst

祁祺 1陈海峰 1洪梓凡 1刘英英 1过立新 1李立珺 1陆芹 1贾一凡1

作者信息

  • 1. 西安邮电大学电子工程学院, 新型半导体器件与材料重点实验室, 西安 710121
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摘要

关键词

β-Ga2O3/碳热还原法/单晶纳米带/缺陷密度

引用本文复制引用

祁祺,陈海峰,洪梓凡,刘英英,过立新,李立珺,陆芹,贾一凡..无催化剂条件下长达毫米级的超宽Ga2O3单晶纳米带制备及特性[J].物理学报,2020,69(16):271-277,7.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:61306131)和陕西省自然科学基础研究计划(批准号:2020JM-581)资助的课题. (批准号:61306131)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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