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一种射频MEMS开关高平整度牺牲层的制备方法

高跃升 薛鹏飞 王俊强 吴倩楠 陈鸿 李孟委

中北大学学报(自然科学版)2020,Vol.41Issue(5):450-454,5.
中北大学学报(自然科学版)2020,Vol.41Issue(5):450-454,5.DOI:10.3969/j.issn.1673-3193.2020.05.011

一种射频MEMS开关高平整度牺牲层的制备方法

Method for Preparing High-Level Flatness Sacrificial Layer of Radio Frequency MEMS Switch

高跃升 1薛鹏飞 2王俊强 1吴倩楠 3陈鸿 4李孟委3

作者信息

  • 1. 中北大学 仪器与电子学院,山西 太原 030051
  • 2. 山西省计量科学研究院,山西 太原 030032
  • 3. 中北大学 前沿交叉科学研究院,山西 太原 030051
  • 4. 中北大学南通智能光机电研究院,江苏 南通 226000
  • 折叠

摘要

关键词

MEMS开关/牺牲层/聚酰亚胺/平坦度

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

高跃升,薛鹏飞,王俊强,吴倩楠,陈鸿,李孟委..一种射频MEMS开关高平整度牺牲层的制备方法[J].中北大学学报(自然科学版),2020,41(5):450-454,5.

中北大学学报(自然科学版)

1673-3193

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