物理学报2020，Vol.69Issue(17)：345-353,9.DOI:10.7498/aps.69.20200497
短沟道金属-氧化物半导体场效应晶体管 的散粒噪声模型
Shot noise model of the short channel metal-oxide- semiconductor field-effect transistor
摘要
关键词
散粒噪声/抑制因子/电子温度/短沟道/场效应晶体管引用本文复制引用
张梦,姚若河,刘玉荣,耿魁伟..短沟道金属-氧化物半导体场效应晶体管 的散粒噪声模型[J].物理学报,2020,69(17):345-353,9.基金项目
广东省重点领域研发计划 (批准号: 2019B010143003) 和国家自然科学基金 (批准号: 61871195) 资助的课题. （批准号: 2019B010143003）
