物理学报2020，Vol.69Issue(17)：354-365,12.DOI:10.7498/aps.69.20200359
一种基于BSIM4的屏蔽栅沟槽MOSFET
紧凑型模型
A compact model of shield-gate trench MOSFET based on BSIM4
江逸洵 1乔明 1高文明 2何小东 2冯骏波 1张森 2张波1
作者信息
- 1. 电子科技大学, 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054
- 2. 无锡华润上华科技有限公司, 无锡 214028
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摘要
关键词
屏蔽栅沟槽/MOSFET/紧凑型模型/BSIM4/Verilog-A引用本文复制引用
江逸洵,乔明,高文明,何小东,冯骏波,张森,张波..一种基于BSIM4的屏蔽栅沟槽MOSFET
紧凑型模型[J].物理学报,2020,69(17):354-365,12.
