电工技术学报2020，Vol.35Issue(17)：3652-3665,14.DOI:10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.191105
SiC MOSFET半桥电路开关瞬态过电流、过电压建模与影响因素分析
Modeling and Influencing Factor Analysis of SiC MOSFET Half-Bridge Circuit Switching Transient Overcurrent and Overvoltage
摘要
关键词
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管/开关瞬态/过电流/过电压/杂散参数分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
王莉娜,马浩博,袁恺,刘壮,邱宏程..SiC MOSFET半桥电路开关瞬态过电流、过电压建模与影响因素分析[J].电工技术学报,2020,35(17):3652-3665,14.基金项目
国家自然科学基金(51877005)和航空科学基金(ASFC-2019ZC051012)资助项目. （51877005）
