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高功率半导体激光阵列的高温特性机理

李波 杜宇琦 王贞福 仇伯仓 杨国文 李特 赵宇亮 刘育衔 王刚 白少博

发光学报2020，Vol.41Issue(9)：1158-1164,7.
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发光学报2020，Vol.41Issue(9)：1158-1164,7.DOI:10.37188/fgxb20204109.1158

高功率半导体激光阵列的高温特性机理

Analysis on High Temperature Characteristic of High Power Semiconductor Laser Array

李波 1杜宇琦 2王贞福 1仇伯仓 2杨国文 1李特 1赵宇亮 1刘育衔 2王刚 1白少博1

作者信息

  • 1. 中国科学院西安光学精密机械研究所 瞬态光学与光子技术国家重点实验室,陕西 西安 710119
  • 2. 中国科学院大学,北京 100049
  • 折叠

摘要

关键词

高功率半导体激光阵列/高温/微通道/电光转化效率/能量损耗分布

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

李波,杜宇琦,王贞福,仇伯仓,杨国文,李特,赵宇亮,刘育衔,王刚,白少博..高功率半导体激光阵列的高温特性机理[J].发光学报,2020,41(9):1158-1164,7.

基金项目

国家自然科学基金(61504167)资助项目 （61504167）

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

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