激光技术2020，Vol.44Issue(5)：532-537,6.DOI:10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2020.05.002
1.55μm单光子源用Si/SiO2-InP微柱腔的鲁棒性研究
Fabrication imperfection effect on Si/SiO2-InP micropillar cavities for 1 . 55μm single photon source
摘要
关键词
光学器件/鲁棒性/有限时域差分法/微腔/单光子源/通信波段分类
数理科学引用本文复制引用
黄帅,张伟,席琪,赵新华,谢修敏,徐强,周强,宋海智..1.55μm单光子源用Si/SiO2-InP微柱腔的鲁棒性研究[J].激光技术,2020,44(5):532-537,6.基金项目
四川省科技厅应用基础重点资助项目(2018JY0084) （2018JY0084）
