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铼掺杂对碳化钍钨热电子阴极微观组织与力学性能的影响

葛春桥王贤友王金淑朱惠冲

真空电子技术Issue(4)：34-36,40,4.

真空电子技术Issue(4)：34-36,40,4.DOI:10.16540/j.cnki.cn11-2485/tn.2020.04.05

Effects of Rhenium Doping on the Microstructure and Mechanical Properties of Th-W Carbonized Cathodes

葛春桥 ¹王贤友 ¹王金淑 ²朱惠冲³

作者信息

铼掺杂/热电子阴极/碳化钍钨/晶粒度/韧性

数理科学

葛春桥,王贤友,王金淑,朱惠冲..铼掺杂对碳化钍钨热电子阴极微观组织与力学性能的影响[J].真空电子技术,2020,(4):34-36,40,4.

广东省省级科技计划项目(2013B090500083) （2013B090500083）

ISSN：1002-8935

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