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高压直流断路器组件内IGBT关断瞬态电压过冲的关键影响参数

刘欣 王利桐 梁贵书 齐磊

高电压技术2020，Vol.46Issue(8)：2654-2662,9.
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高电压技术2020，Vol.46Issue(8)：2654-2662,9.DOI:10.13336/j.1003-6520.hve.20190177

高压直流断路器组件内IGBT关断瞬态电压过冲的关键影响参数

Key Influencing Factors on the Turn-off Transient Voltage Overshoot of IGBT in the Module of High Voltage DC Circuit Breaker

刘欣 1王利桐 1梁贵书 1齐磊2

作者信息

  • 1. 华北电力大学电力工程系,保定071003
  • 2. 华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室,北京102206
  • 折叠

摘要

关键词

高压直流断路器/半导体组件/杂散电感/驱动电阻/瞬态电压过冲

引用本文复制引用

刘欣,王利桐,梁贵书,齐磊..高压直流断路器组件内IGBT关断瞬态电压过冲的关键影响参数[J].高电压技术,2020,46(8):2654-2662,9.

基金项目

国家重点研发计划(2017YFB0902400). （2017YFB0902400）

高电压技术

OA北大核心CSCDCSTPCD

1003-6520

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