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电动汽车IGBT芯片技术综述和展望

罗皓泽 高洪艺 朱春林 李武华 何湘宁

中国电机工程学报2020,Vol.40Issue(18):5717-5729,中插1,14.
中国电机工程学报2020,Vol.40Issue(18):5717-5729,中插1,14.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.200897

电动汽车IGBT芯片技术综述和展望

Review and Prospect of IGBT Chip Technologies for Electric Vehicles

罗皓泽 1高洪艺 1朱春林 2李武华 1何湘宁1

作者信息

  • 1. 浙江大学电气工程学院,浙江省 杭州市 310027
  • 2. 株洲中车时代半导体有限公司,湖南省 株洲市 412001
  • 折叠

摘要

关键词

精细化沟槽栅技术/虚拟陪栅技术/高温技术/智能化集成

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

罗皓泽,高洪艺,朱春林,李武华,何湘宁..电动汽车IGBT芯片技术综述和展望[J].中国电机工程学报,2020,40(18):5717-5729,中插1,14.

基金项目

国家杰出青年科学基金项目(51925702) (51925702)

国家自然科学基金项目(51677166). (51677166)

中国电机工程学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0258-8013

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