中国电机工程学报2020，Vol.40Issue(18)：5730-5741,中插2,13.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.200618
基于驱动电流动态调节的低过冲低损耗SiC MOSFET有源门极驱动
Low Overshoot and Low Loss Active Gate Driver for SiC MOSFET Based on Driving Current Dynamic Regulation
摘要
关键词
SiC MOSFET/有源门极驱动/电流动态调节/过冲/振荡/开关损耗分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
刘平,李海鹏,苗轶如,陈常乐,陈梓健,孟锦豪..基于驱动电流动态调节的低过冲低损耗SiC MOSFET有源门极驱动[J].中国电机工程学报,2020,40(18):5730-5741,中插2,13.基金项目
国家自然科学基金项目(51977065) （51977065）
湖南省战略性新兴产业科技攻关与重大成果转化专项项目(2017GK4020). （2017GK4020）
